Raith eLiNE - Лаборатория сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации

Перейти к контенту

Главное меню:

Электронная литография
В ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН функционирует система электронно-лучевой литографии Raith e_LiNE для изготовления структур субмикронных размеров. Система электронной литографии объединяет в себе сканирующий электронный микроскоп (произведенный компанией Carl Zeiss с использованием колонны для формирования электронного пучка Gemini) и систему электронной литографии производства Raith (состоящей из лазерной интерферометрической платформы и цифро-аналогового преобразователя для управления отклонением электронного луча). Размер электронного пучка составляет 2 нм для ускоряющего напряжения 20 кВ. Минимальный размер структуры для резиста с ультравысоким разрешением HSQ составил 20 нм. Система электронной литографии Raith e_LiNE может использоваться как для исследования топографии и электронных свойств микро- и нанообъектов, так и для создания объектов с предельными размерами ~20 нм в режиме прямой литографии и в режиме создания фотошаблонов.

 Основные параметры установки электронной литографии Raith e_Line:

  • размер электронного пучка 4 нм (1 кэВ; апертура 30 мкм);
  • ток катода 5 пА - 20 нА;
  • ускоряющее напряжение 100 В - 30 кВ;
  • совместимость с форматами GDSII, DXF, CIF, ASCII, BMP;
  • минимальный размер воспроизводимых структур 20 нм.
  •  
    ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
    Назад к содержимому | Назад к главному меню